Съобщения до медиите. Безплатно в PRESS.dir.bg!

София, 24 февруари 2016 г. – Samsung Electronics, световен лидер в областта на полупроводниковите технологии, обяви, че Exynos 8 Octa, второто поколение процесор от висок клас, който е произведен по 14-нанометрова FinFET технология, е използван за направата на Samsung Galaxy S7 and S7 edge.

„Непрекъснатото въвеждане на нашите процесори Exynos в смартфоните от висок клас, като Galaxy S7 и S7 edge, подчертава лидерската ни позиция на пазара на едночипови системи“, каза Бен К. Хур, вицепрезидент на System LSI marketing в Samsung Electronics. „Новият Exynos 8 Octa интегрира специално създадени ядра за производителност без конкуренция и невероятно бърз LTE Cat. 12/13 модем. С тези характеристики процесорът ще осигури най-вълнуващото мобилно преживяване на притежателите на Galaxy S7“.

Exynos 8 Octa използва 64-битови ядра, които са създадени, за да осигурят несравнима производителност и енергийна ефективност. Процесорът е произведен по 14-нанометровата FinFET технология на Samsung и увеличава производителността с над 30% и енергийната ефективност с 10%, в сравнение с предшественика си − Exynos 7 Octa 7420.

Exynos 8 Octa интегрира най-модерния LTE Rel.12 Cat.12/13 модем за изключителна скорост по отношение на свързаността. Той предлага максимална скорост на трансфер на данни при сваляне 600Mbps (Cat.12) и максимална скорост на ъплоуд 150Mbps (Cat.13), които могат да променят изцяло мобилното преживяване на потребителите.

Процесорът Exynos 8 Octa ще бъде изложен на павилиона на Samsung - Hall 2, Booth 2F21 на Mobile World Congress 2016, от 22 до 25 февруари в Барселона, Испания. Освен Exynos 8 Octa, Samsung ще демонстрира възможностите на още един нов процесор - Exynos 7 Octa 7870.

За Контакти:Мартин Маев
Proximity Sofia за Samsung
Т: 02/ 865 11 38
@: martin.maev@proximitysofia.com