Съобщения до медиите. Безплатно в PRESS.dir.bg!

София – 07 март 2016 г. – Samsung Electronics, световен лидер при развитието на технологиите за съхранение на данни, обяви че е започнала масово производство на първата в индустрията флаш памет с капацитет 256GB, която е базирана на стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0 и е предназначена за следващото поколение мобилни устройства. Новата флаш памет предлага изключителна производителност за мобилни устройства, която надхвърля тази на традиционните SSD дискове, базирани на SATA интерфейс.

„С представянето на UFS памет с голям капацитет, която е почти два пъти по-бърза от SATA SSD дискове за настолни компютри, ние ще допринесем за промяна на парадигмата на пазара на памет за мобилни устройства“, каза Джо Сън Чуй, изпълнителен вицепрезидент на Memory Sales and Marketing в Samsung Electronics. „Ние сме решени да се възползваме от конкурентното ни предимство при решенията за памет от висок клас - OEM NVMe SSD дискове, външни SSD дискове и UFS чипове, като бързо увеличим производителността и капацитета на нашите решения и в трите пазарни сегмента“.

Новият UFS чип на Samsung задоволява нуждите от ултрабърза скорост, голям капацитет и компактен размер на чиповете при смартфоните от висок клас. Новият модел е базиран на вертикалната NAND (V-NAND) технология на компанията и използва специално създаден високопроизводителен контролер. UFS паметта може да обработи до 45 000 (при четене) и до 40 000 (при писане) входно изходни операции в секунда (IOPS) при произволен (случаен) достъп. Това е повече от два пъти по-бързо спрямо 19 000 и 14 000 IOPS при предходното поколение UFS памет.

При последователен достъп на четене 256GB UFS се възползва от два канала за трансфер на данни и може да се справи с трансфер със скорост до 850MB/s, което е почти два пъти повече, в сравнение с традиционните SSD дискове, базирани на SATA интерфейс и предназначени за настолни компютри. По отношение на последователния достъп за писане, моделът предлага максимална скорост от 260MB/s, което е около три пъти по-бързо спрямо високопроизводителните външни microSD карти.

Тези характеристики позволяват на новия 256GB UFS чип да поддържа видео в ултрависока резолюция (UHD) и работа с няколко приложения едновременно, при това на мобилни устройства с големи дисплеи. Пример за подобна употреба е едновременното гледане на филм в 4K резолюция и търсенето на файлове или свалянето на видео клипове. Капацитетът от 256GB позволява и съхранението на изключително голям обем от данни на мобилно устройство. Например един 256GB UFS чип може да побере около 47 филма във HD резолюция, което позволява много по-голяма гъвкавост при преносимата потребителска електроника.

Освен това, новото поколение смартфони, които поддържат USB 3.0 интерфейс, позволяват на потребителите да прехвърлят данни много бързо между мобилни устройства. Интерфейсът USB 3.0 осигурява прехвърлянето на HD филм с големина 5GB (около 90 минути продължителност) само за 12 секунди. Тези възможности за съхранение на данни ще позволят на мобилните потребителите да се възползват в най-голяма степен от производителността на най-новите UFS решения на Samsung.

Новият UFS чип е изключително компактен и на размер е по-малък от външните microSD карти памет, което е резултат от модерните технологии на Samsung, използвани при дизайна и производството. Компактните размери на модела ще предоставят по-голяма свобода на дизайнерите на смартфони.

Samsung пусна в продажба своята 128GB UFS памет през февруари 2015 г. Само за една година компанията е удвоила капацитета и скоростта на UFS чипа, което би трябвало да стимулира допълнителен ръст на пазара. Samsung ще разшири своето портфолио от решения за съхранение на данни от висок клас, които са базирани на V-NAND флаш технология, пример за което е новият 256GB UFS чип. Компанията също планира да увеличи производството на тези продукти, в съответствие с нарастващото търсене.
За Контакти:Мартин Маев
Proximity Sofia за Samsung
Т: 02/ 865 11 38
@: martin.maev@proximitysofia.com